Електростатика, це розділ електродинаміки в якому вивчають параметри, властивості та закономірності взаємодії відносно нерухомих електричних зарядів і тих електричних полів які ці заряди створюють.

Електростатика в побуті та виробництві – це застосування принципів електростатики, які вивчають статичні електричні заряди та їх взаємодію. В побуті ми стикаємось з електростатичними явищами при трінні деяких матеріалів (наприклад, одягу та пластику), а також при виникненні електричних розрядів, наприклад, у вигляді блискавки. На виробництві електростатика використовується в промисловості для фарбування, для роботи з порошками та пилом, а також для виготовлення електронних пристроїв.

Електростатика в побуті
Електростатичні явища: Накопичення електричного заряду на тілах під час контакту з іншими матеріалами (наприклад, гумові та пластикові предмети), тертя одягу, що може викликати статику. 
Електростатичні розряди: Блискавка, стримка статика, що виникає під час розрядження електричного заряду, можуть бути небезпечними. 
Застосування: Електростатичні системи використовуються для очищення повітря, для нанесення фарби методом електростатичного розпилення. 
Безпека: Необхідно уникати електростатичних розрядів, особливо при роботі з електронікою та небезпечними матеріалами. 
Електростатика на виробництві
Фарбування: Електростатичний розрив застосовується для фарбування, що дозволяє рівномірно розподілити фарбу на поверхню, зменшуючи витрати.
Очищення повітря: Електростатичні фільтри використовуються для очищення повітря від пилу та інших забруднень.
Виробництво електронних пристроїв: Електростатика використовується для виготовлення напівпровідників, мікросхем та інших електронних компонентів.
Робота з порошками та пилом: Електростатичні явища можуть викликати вибухи в промисловості, тому необхідно використовувати спеціальні заходи безпеки.

ЕЛЕКТРОННИЙ ЕЛЕКТРОСКОП ЗРОБЛЕНИЙ ВЛАСНОРУЧНО

Простіший 

Ще є друга схема за допомогою, цього індикатора електростатичного поля можна виявити заряджений об'єкт, що знаходиться на значному видаленні, показати полярність заряду (позитивний, негативний або заземлений) і відносний ступінь зарядженості.

У процесі роботи конденсатор C1 послаблює шуми змінного струму, але трохи знижує чутливість. Польовий транзистор MPF102 та резистор R1 утворюють дільник напруги. Коли затвор польового транзистора заземлений, вихідний сигнал дільника напруги дорівнює близько 4,5 В, даючи приблизно половинний відлік за шкалою приладу М1 - мікроамперметра на 200 мкА. При позитивно зарядженому об'єкті (подібно до скла потертого об бавовну) стрілка приладу відхилиться від середини шкали в позитивну сторону. Негативно заряджений об'єкт (наприклад, пластмасовий гребінець) даватиме негативне відхилення стрілки). Вся схема (включаючи джерело живлення 9В) має бути поміщена у металевий корпус.

Q — накопичувач заряду (короткий відрізок неізольованого дроту або невелика металева куля).

***

With this electrostatic field indicator, you can detect a charged object at a considerable distance, show the charge polarity (positive, negative or ground) and the relative state of charge.

During operation, capacitor C1 attenuates AC noise, but at the same time slightly reduces sensitivity. The MPF102 field effect transistor and resistor R1 form a voltage divider. When the gate of the FET is grounded, the output of the voltage divider will be about 4.5 V, giving about half the reading on the scale of M1, a 200 µA microammeter. With a positively charged object (like glass rubbed against cotton), the instrument needle will deviate from the middle of the scale in the positive direction. A negatively charged object (such as a plastic comb) will give a negative arrow deflection). The entire circuit (including the 9V power supply) must be placed in a metal case.

Q—charge accumulator (a short piece of bare wire or a small metal ball).

***

*******************************

MPF102 Аналоги/Analogues

• BF256C Fairchild  
• MPF102G ON Semiconductor 
• MPF102 ON Semiconductor  JFET
• 2SK3032 Panasonic 
• J308-E3 Vishay Siliconix 
• 2N4222 Central Semiconductor