Мощный преобразователь 12 В-350 В на ИМС. - Практика и Результаты - Каталог статей - Альтернативная Энергия Человечеству




Статистика


Онлайн всего: 5
Гостей: 5
Пользователей: 0


MATRI-X: в поисках непознанного






Бестопливный энергетических планов











Каталог статей

Главная » Статьи » Практика и Результаты

Мощный преобразователь 12 В-350 В на ИМС.
Задающий генератор преобразователя (рис. 4.67) собран на стандартном ШИМ-контроллере (импортный аналог из 494-й серии). Контроллер вырабатывает управляющие сигналы для транзисторов усилителя мощности, исключая сквозные токи через них. «Мертвое время» (Dead time) составляет минимум 3% от длительности периода колебаний и задается напряжением на выводе 4 микросхемы DA1: при О В - 3%, при 3,5 В - 100%.
Конденсатор С1 служит для плавного запуска преобразователя. В контроллере имеются два усилителя, один из которых используется для предотвращения разряда аккумулятора (не позволит работать преобразователю при снижении напряжения на аккумуляторе ниже 8 В). Цепь для предотвращения разряда аккумулятора желательно ставить не только в случае, когда жалко испортить аккумулятор, но и тогда, когда используются силовые транзисторы без логического управления, т.е. без буквы L (у них порог открывания 4...6 В), и при сильном разряде аккумулятора они могут перейти в активный режим, что приведет к повреждению схемы из-за перегрева.
Частота преобразования задается элементами СЗ, R8 и при указанных номиналах составляет 40 кГц. Для изменения частоты эти элементы можно менять в пределах 500 пФ ... 0,1 мкФ и 1...100 кОм. Ток холостого хода преобразователя — 70 мА, потребление под нагрузкой — 5...7 А на максимальной нагрузке (около 100 Вт). КПД составляет 98%. Аккумулятор использован на 12 В (10 А-ч). Сердечник трансформатора Т1 — два ферритовых кольца М2000НМ типоразмера К32х16х9 (диаметр 32 мм, сечение 1,4 см2, приходится 3 В на виток). Первичная обмотка содержит 4+4 витка, провод диаметром 0,91 мм (мотается в 4 провода, уложенных лентой). Вторичная обмотка — 130 витков диаметром 0,45 мм.
В качестве микросхемы DA1 подойдет любой контроллер из серии 494 (TL494, UC494, uPC494, CD494, КА7500). Транзисторы VT1
и VT2 могут быть КТ645, КТ3102 и др. Полевые транзисторы (не IGBT и не КГ7954) с максимальным напряжением не ниже 50 В, сопротивлением канала <0,015 Ом и затворной емкостью <3000 пФ. Транзисторы IRL3705L имеют сопротивление в открытом состоянии R3c = 0,01 Ом, и их можно заменить двумя включенными параллельно IRFZ44N (R3C = 0,022 Ом).
Существуют минские транзисторы завода «Интеграл» КП732Г, они лучше заявленного аналога IRFLZ44, паспортное сопротивление у них 28 мОм, а по измерениям — 18 мОм, и стоят они дешевле. Из наших новых подойдут КП812. Диоды VD3...VD6 желательно использовать быстродействующие (не быстрые сильно греются при больших нагрузках), с обратным напряжением не менее 400 В, и на ток не менее 1 А. 


Источник: http://www.invertor12-220.narod.ru/shemi/29.htm
Категория: Практика и Результаты | Добавил: Rakar (01.06.2012)
Просмотров: 736 | Рейтинг: 0.0/0
Всего комментариев: 0
Имя *:
Email *:
Код *: